當(dāng)前位置:首頁 > 產(chǎn)品中心 > 日本SMC|SMC電磁閥 > SMC氣動(dòng)元件 > SY7420-5DZ-02-F2日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動(dòng)方式
簡要描述:日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動(dòng)方式配管規(guī)格C供氣側(cè):Rc1/8; 檢測側(cè):Φ4 快換接頭(額定距離范圍:0.01~0.03mm);Φ6 快換接頭(額定距離范圍:0.02~0.15mm/0.05~0.30mm);輸出規(guī)格PPNP1輸出壓力單位-帶單位切換功能位數(shù)33位
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日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動(dòng)方式
制造工藝:
二次光刻光敏區(qū)工藝。采用此技術(shù),在次光刻
后去掉膠層,進(jìn)行氧化層的生長,約為500 a左右
件下(0.32μm) 有大的分辯率。此時(shí)光電流大
,分辯率高。注入條件為:磷注入, 能量為
;然后進(jìn)行次光刻,透過二氧化硅層進(jìn)行光敏
區(qū)bf2 的離子注入。這有兩個(gè)方面處,一是可有
光敏區(qū)內(nèi)外電阻率比控工藝。影響高分辯率的因素
有結(jié)深、邊界條件及有效光敏區(qū)內(nèi)外電阻率之比等
效地保護(hù)光敏區(qū)的表面,保護(hù)二氧化硅和硅的界面
;二是利用其屏蔽作用制得滿足器件要求的結(jié)深。
。對(duì)于同一種器件結(jié)構(gòu),光敏區(qū)在一個(gè)結(jié)深條
60kev , 劑量為4e15;硼注入, 能量60kev , 劑量為
1e13;光敏注入,能量為40kev ,劑量為4e13。
類型介紹:
它是利用檢測平衡狀態(tài)下浮子浮力的變化來進(jìn)行位
置測量的。此外,它還可以配備微機(jī),使其具有自
的衰減愈小,但是反射效率也小,所以需要根據(jù)距
離、物體表面狀況等因素來選擇聲波傳感器類型
檢、自診斷和遠(yuǎn)傳的功能,它的是測量位置的
通過向被測物體表面發(fā)射聲波,被其反射后,傳
感器接受,通過時(shí)間和聲速來計(jì)算其到物體表面的
范圍寬、精度高。它是一種非接觸式位置的產(chǎn)品,
對(duì)于一些不宜接觸測量的場合是的選擇。它是
距離。聲波有一個(gè)特性它的頻率愈低,隨著距離
。高性能產(chǎn)品能分別出哪些是信號(hào)波,哪些是噪聲
,而且還可以在高溫和大風(fēng)的情況下檢測液位。
日本SMC位置傳感器ISA3-GCP-3LB-L2驅(qū)動(dòng)方式
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